江西回收液晶驱动IC哪家好

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　　0X2C:写GRAM 指令，参数n个 用于向ILI9341的GRAM写入数据(即设置LCD像素点的颜)。在发送该指令之后，便可以往LCD的GRAM 里面写入颜数据了，该指令支持连续写，指令描述如下表所示: 从上表可知，在收到指令0X2C之后，数据有效位宽变为16位，可以连续写入LCDGRAM值，而GRAM的地址将根据MY/MX/MV设置的扫描方向进行自增。 例如:假设设置的是从左到右，从上到下的扫描方式，那么设置好起始坐标（通过SC，SP设置）后，每写入一个颜值，GRAM地址将会自动自增1（SC++），如果碰到EC，则回到SC，同时SP++，一直到坐标:EC，EP结束，其间无需再次设置的坐标，从而大大提高写入速度。0X2E:读 GRAM 指令

　　驱动方式:由LCD驱动原理得知，LCD像素点上只能加上AC电压，LCD显示器的对比度是COM脚上的电压值和SEG脚上的电压值之差。当这个电压大于LCD的饱和电压就能打开像素点，小于LCD或者值电压就能关闭像素点，LCD型MCU已经由内建的LCD驱动电路自动产生LCD驱动信号，因此只要I/O口能仿真输出该驱动信号，就能完成LCD的驱动。

　　液晶显示器的分辨率越大,其记忆体占用的面积就越大,如何有效降低芯片面积,提供多余空间让电源电路或防护电路使用,记忆体是一个相当重要的关键。早期SRAM的架构采用的是8T SRAM,它透过8颗MOS组件组成,可以轻松地应用于液晶驱动IC。SRAM除了要能进行写入与读取的动作,还将已储存的资料于显示的同时持续更新给SEG pad,也就是说SEG pad在显示的过程中,执行的是读取记忆体的动作。图 3为一个8T SRAM的等效电路,上半部由6颗MOS组成基本的RAM 单元,这也就是6T SRAM基本的等效电路。多出来的2颗MOS组件主要目的在于提供SEG pad读取数据。那6T SRAM少了2颗MOS组件后,该如何将数据送给SEG pad?当架构换成6T SRAM,每个RAM单元会少掉2颗MOS组件,面积可以有效缩小,但I/O与SEG pad的读取路径相同,同时动作将会遇到冲突,读取的时序错开,所以在送数据给I/O与SEG pad之前,透过仲裁电路的处理(如图 4所示),分配I/O与SEG pad读取的时序,将读取的时间点做有效地规划,避免I/O在读取数据时,干扰到SEG pad读取的动作,造成显示上的缺陷。

　　图31A和31B是用于解释具有形成有公共线108’的背表面的源侧布线板108的视图。图31A表示源侧布线板108的前表面，图31B表示从前表面侧看去形成在源侧布线板108上的公共线108’。图32是沿着图31A的双点划线I-I的横截面图。 作为与源侧柔性板112的连接部分的连接端子108c形成在源侧布线板108的前表面上。在图31所示的例子中，提供40个连接端子108c。这里，40个连接端子108c中的4个连接端子108c连接于图32B所示的公共线108a’，该公共线108a’形成在源侧布线板108的后表面上。即，如图32所示，在源侧布线板108的后表面上形成的每个公共线108a’经通孔108b与形成在前表面侧上的一个相应连接端子108c连接。位于图31A中的右侧位置的通孔108c对应于图31B中位于右侧位置的通孔108c，并且位于图31A中从右侧位置数第二位置的通孔108c对应于图31B中从右侧位置数第二位置的通扎108c。类似地，图31A所示的通孔108c的位置对应于图31B所示的通孔108c的每个位置，并且源侧布线板108具有图31A所示的前表面的布线图案与图31B所示的后表面的布线图案重叠并且后侧通过通孔108c连接的结构。