江西回收库存IC哪里实惠

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　　我们使用的LCD存储器是16位数据宽度的，所以 A[10] 数值 由HADDR[11] 确定。 要使 FSMC_ A10地址线为高电平，实质是置内部HADDR地址的0+1)位为1即可。要使 FSMC_ A10地址线为低电平，实质是置内部HADDR地址的0+1)位为0即可。 LCD使用 FSMC Bank1 第4区，运算如下: FSMC Bank1 第4区使用0X6C00 0000 ~ 0X6FFF FFFF内的任意地址，故其基地址是0X6C00 0000。

　　电子产品开发过程中经常要用到LCD段码屏，相信大部分电子工程师都曾经试过用单片机、FPGA或者嵌入式开发板等驱动LCD屏，下面给大家介绍一下LCD的显示原理和驱动方式。LCD屏自然状态下内部的结构示意图，屏的顶部和底部是一对互相垂直的偏振片，中间是液晶分子涂层。

　　因此，从控制电路板228提供的输入信号依次一个接一个地经设置在TFT玻璃基片208上的内线213-1和213-2以及设置在COF衬底220上的输入信号线214和再输入信号线216提供给相邻的COF衬底。 可不使用用于输入信号的FPC电缆经形成在COF衬底220上的直通线221和形成在TFT玻璃基片208上的信号返回线224将输入信号提供给COF输入端子215。因此，来自控制电路229的输入信号可不使用图35所示的输入线印刷电路板210和FPC电缆212提供给液晶显示设备。因此，可减少液晶显示设备的制造工序数，并且降低组件成本。

　　液晶显示器的分辨率越大,其记忆体占用的面积就越大,如何有效降低芯片面积,提供多余空间让电源电路或防护电路使用,记忆体是一个相当重要的关键。早期SRAM的架构采用的是8T SRAM,它透过8颗MOS组件组成,可以轻松地应用于液晶驱动IC。SRAM除了要能进行写入与读取的动作,还将已储存的资料于显示的同时持续更新给SEG pad,也就是说SEG pad在显示的过程中,执行的是读取记忆体的动作。图 3为一个8T SRAM的等效电路,上半部由6颗MOS组成基本的RAM 单元,这也就是6T SRAM基本的等效电路。多出来的2颗MOS组件主要目的在于提供SEG pad读取数据。那6T SRAM少了2颗MOS组件后,该如何将数据送给SEG pad?当架构换成6T SRAM,每个RAM单元会少掉2颗MOS组件,面积可以有效缩小,但I/O与SEG pad的读取路径相同,同时动作将会遇到冲突,读取的时序错开,所以在送数据给I/O与SEG pad之前,透过仲裁电路的处理(如图 4所示),分配I/O与SEG pad读取的时序,将读取的时间点做有效地规划,避免I/O在读取数据时,干扰到SEG pad读取的动作,造成显示上的缺陷。