福建回收IC芯片哪家价格实惠
发布时间：
2023-09-04 19:07
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FSMC的NOR FLASH访问时序 与LCD的8080时序对比。 对比FSMC NOR/PSRAM中的模式B时序与ILI9341液晶控制器芯片使用的8080时序可发现，这两个时序是十分相似的(除了FSMC的地址线A和8080的D/CX线，可以说是一样) FSMC NOR/PSRAM的时钟写A[25:0]共有26根，我们使用其中一根地址线与ILI9341芯片8080接口的D/Cx信号线相连接来模拟时序。
TN液晶一般分子链较短，特性参数调整较困难，所以特性差别比较明显。STN液晶是通过STN显示数据模型，计算出所需的液晶分子长度，及其光学电学性能参数，然后化工合成多种分子链接构类似的具有不同极性分子基团的单体，互相调配成一个特性相似的系列液晶。
液晶显示器的分辨率越大,其记忆体占用的面积就越大,如何有效降低芯片面积,提供多余空间让电源电路或防护电路使用,记忆体是一个相当重要的关键。早期SRAM的架构采用的是8T SRAM,它透过8颗MOS组件组成,可以轻松地应用于液晶驱动IC。SRAM除了要能进行写入与读取的动作,还将已储存的资料于显示的同时持续更新给SEG pad,也就是说SEG pad在显示的过程中,执行的是读取记忆体的动作。图 3为一个8T SRAM的等效电路,上半部由6颗MOS组成基本的RAM 单元,这也就是6T SRAM基本的等效电路。多出来的2颗MOS组件主要目的在于提供SEG pad读取数据。那6T SRAM少了2颗MOS组件后,该如何将数据送给SEG pad?当架构换成6T SRAM,每个RAM单元会少掉2颗MOS组件,面积可以有效缩小,但I/O与SEG pad的读取路径相同,同时动作将会遇到冲突,读取的时序错开,所以在送数据给I/O与SEG pad之前,透过仲裁电路的处理(如图 4所示),分配I/O与SEG pad读取的时序,将读取的时间点做有效地规划,避免I/O在读取数据时,干扰到SEG pad读取的动作,造成显示上的缺陷。
例如:我们可以把FSMC的A[10]地址线(也可以使用A[0] or A[1] or A[2]等其它地址线，这里得根据硬件连接考虑)与ILI9341芯片8080接口的D/CX信号线连接，那么当A[10]为高电平时(即D/CX为高电平)，数据线D[15:0]的信号会被ILI9341理解为数值，若A[10]为低电平时(即D/CX为低电平)，传输的信号则会被理解为命令。 即使用A[10]地址线作为D/CX时，A[10]输出低电平表示命令，A[10]输出高电平表示数据。